[发明专利]半导体存储装置

摘要

一种半导体存储装置，在一对位线ＢＬ、ＢＬ间连接有均衡电路１４和读出放大器１５。均衡电路由３个ＭＯＳ管１１、１２、１３组成，各管栅极供以由电平变换电路１６输出的均衡控制信号ΦEQL。读出放大器放大两位线间产生的电位差并检出数据。内部升压电压产生电路１７恒定地产生比端子１０上的外加电压Ｖｃｃ高的升压电压Viｎt，以供给电平变换电路。电平变换电路１６把输入控制信号ΦEQL，变换成升压电压Vint以产生均衡控制信号ΦEQL。

主权项

1.一种半导体存储装置，它包括：供给外加电源电压的电源引线端子、第1和第2位线、设于上述两位线之间的读出放大器、分别连接到上述第1、第2位线的多个存储单元，以及在把上述第1和第2位线充电到指定电位的同时把两条位线设定为等电位的位线电位设定单元，其特征是：所述半导体存储装置还具有内部升压电压产生单元，它具有：基准电压产生单元，用于产生基准电压；升压单元，用于使上述电源引线端子供给的电压升压，在产生作为所述位线电位设定单元的控制信号的一个电平的升压电压的同时，根据控制信号控制其升压动作；电压变换单元，用于把上述升压电压变换成比之更低的电压；以及电压比较单元，它把上述基准电压与由上述电压变换单元进行了变换的电压进行比较，并产生与其大小关系相对应的信号，将其作为上述控制信号供给上述升压单元。