[发明专利]设有显影速度测量图的光掩模及测量显影速度匀度的方法无效
| 申请号： | 94120087.6 | 申请日： | 1994-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN1084485C | 公开（公告）日： | 2002-05-08 |
| 发明（设计）人： | 黄俊 | 申请（专利权）人： | 现代电子产业株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/14 | 分类号： | G03F1/14 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 杨梧 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种光掩模，包括多个位于限定在光掩模中部区域的两个相同部分之一上的、配置成阵列的突起形图形元件，以及多个位于所述区域另一部分上的、配置成阵列的凹坑形图形元件，两个区上的图形元件都用与光掩模材料相同的材料制成并且具有相同的形状，且其尺寸沿阵列垂直方向和阵列水平方向逐渐增大或减小。用这种光掩模，就能够容易迅速地测定所用显影设备的显影速度匀度，且可实现显影设备显影速度的简易调整并缩短调整时间。$#! | ||
| 搜索关键词： | 设有 显影 速度 测量 光掩模 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用于形成光刻胶图形的光掩模，包括：一种显影速度测量图形，包括多个位于限定在光掩模中部区域的两个相同部分之一上的、配置成阵列的突起形图形元件，以及多个位于所述区域另一部分上的、配置成阵列的凹坑形图形元件，两个区上的图形元件都用与光掩模材料相同的材料制成并且具有相同的形状，且其尺寸沿阵列垂直方向和阵列水平方向逐渐增大或减小。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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