[发明专利]评价用于形成绝缘膜的硅氧烷的方法、形成绝缘膜的涂布液及其制备方法、半导体器件用绝缘膜成型方法以及采用绝缘膜成膜法制备半导体器件的方法无效
| 申请号： | 94192429.7 | 申请日： | 1994-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN1125481A | 公开（公告）日： | 1996-06-26 |
| 发明（设计）人： | 中野正;志村真;太田与洋 | 申请（专利权）人： | 川崎制铁株式会社 |
| 主分类号： | G01N24/08 | 分类号： | G01N24/08;H01L21/316;H01L21/66 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 任宗华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明根据在有机SOG中键合在硅原子上的有机取代基的含量和/或各个键合不同数量有机基团的硅原子的比率来评价用于形成绝缘膜的硅氧烷。本发明形成的绝缘膜具有优良的膜性能(如具有填满细小沟槽的能力、能使整个基体图案平整、能形成足够厚的膜以填充台阶)以及电性能(如形成的绝缘膜的介电常数)，具体地说，绝缘膜是一种利用涂布液形成的半导体器件用多层绝缘膜。该涂布液是根据上述评价结果由含一定比率的有一个Si-C键的硅原子的硅氧烷所组成或由以化学式(CH3)YSiO2.2/y(0.8≤y≤1.3)表示的、重均分子量不低于1500又不超过6000的无规结构甲基硅氧烷低聚物所组成的。因此，本发明为半导体器件的生产提供了一种具有优良膜性能的绝缘膜。此外，本发明是以键合在硅原子上的有机基团含量调整至总硅原子量的80％-130％的烷氧基硅烷和烷基烷氧基硅烷作为起始材料来制备如上所讨论的涂布液的。 | ||
| 搜索关键词： | 评价 用于 形成 绝缘 硅氧烷 方法 涂布液 及其 制备 半导体器件 成型 以及 采用 膜成膜 法制 | ||
【主权项】：
1.评价形成绝缘膜的硅氧烷的方法，该方法包括对形成绝缘膜的涂布液中所含的每个硅原子至少键合一个有机取代基的硅氧烷的评价方法，该法的特征是测定每种硅原子分别具有1—3个键合的有机取代基的三种硅原子的比率，以及至少一种不带上述有机取代基的硅原子的比率，然后依据所测定比率来评价供形成绝缘膜的硅氧烷。
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