[发明专利]ROM-RAM盘无效
| 申请号： | 94194366.6 | 申请日： | 1994-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN1136851A | 公开（公告）日： | 1996-11-27 |
| 发明（设计）人： | 川村晃;森本宁章;弗里德海姆·朱克 | 申请（专利权）人： | 德国汤姆逊-布朗特公司 |
| 主分类号： | G11B13/04 | 分类号： | G11B13/04 |
| 代理公司： | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人： | 马莹 |
| 地址： | 联邦德国菲林*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种大存储容量的ROM-RAM盘和读写该ROM-RAM盘的方法。本发明的目的是设计一种ROM-RAM盘和可以同时读取ROM与RAM并在同一时间进行ROM的读与RAM的写的方法，并提供可能的最大的存储容量。本发明包括两种可选的设计方案，在一第一设计方案中，ROM-RAM盘从某一半径(R)或直径处起包含有ROM和RAM两种存储结构的区域，在该半径处以一恒定转速达到一扫描/写速度(V)，该速度保证了对存储在ROM-RAM结构中的信息的读取和分离；在一第二设计方案中，可用的存储区域整个由ROM-RAM存储区域来构成，其中RAM存储结构具有减小了的数据速率，以形成分离存储在ROM-RAM结构中的信息所需的存储结构的长度。本发明尤其可用在有关光学记录介质的制造和使用中。 | ||
| 搜索关键词： | rom ram | ||
【主权项】：
1、一种ROM-RAM盘，它在螺旋轨道上具有相互重叠的ROM和RAM存储区域，其特征在于：对应于一第一设计方案，只在超过一定半径(R)或直径处才提供一具有ROM和RAM两种存储结构的ROM-RAM盘的区域，在超过该半径(R)或直径时，在恒定转速下，达到了一个扫描或写速度(V)，该速度保证了对存储在ROM-RAM结构中的信息的读取和分离；或者是对应于第二设计方案，可用的存储区域全部由ROM-RAM存储区域构成，并提供具有减小了的数据速率的RAM存储结构以形成分离出存储在ROM-RAM结构中的信息所需的存储结构的长度。
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