[发明专利]II-VI族半导体激光器及其制造方法无效
| 申请号： | 95100650.9 | 申请日： | 1995-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN1113355A | 公开（公告）日： | 1995-12-13 |
| 发明（设计）人： | N·山田 | 申请（专利权）人： | 惠普公司 |
| 主分类号： | H01S3/18 | 分类号： | H01S3/18;H01S3/19 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 萧掬昌,马铁良 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种以MgZnSSe、CdZnSSe或MgCdZnSSe为基体的II-VI族半导体激光器，其n型基片上依次生长有多层含晶体结构元素和掺杂的晶体吸附层，其中第一吸附层至倒数第二层的P型吸附层是用固态区MBE法形成的，最后一层P型吸附层则用气态区MBE或MOVPE法形成，且最后一层的P型吸附层最好在富有II族元素的情况下生长。 | ||
| 搜索关键词： | ii vi 半导体激光器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种Ⅱ-Ⅵ族半导体激光器，包括：一个n型基片；和多个吸附层，含有晶体结构元素和掺杂杂质，各吸附层在所述基片上形成；其特征在于，所有从第一吸附层至倒数第二的P型吸附层都用固态区分子束外延(MBE)法形成；而最后一层的P型吸附层则是用气态区MBE法或金属有机汽相外延(MOVPE)法形成。
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