[发明专利]半导体集成电路器件无效
| 申请号： | 95100816.1 | 申请日： | 1995-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN1042067C | 公开（公告）日： | 1999-02-10 |
| 发明（设计）人： | 大泽隆 | 申请（专利权）人： | 东芝株式会社 |
| 主分类号： | G11C7/00 | 分类号： | G11C7/00;H01L27/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 沈昭坤 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种即使选择数据多也能高速选择的半导体集成电路器件。该器件具有并接在电源端子ＶＤＤ与公共节点Ｘ之间的数据传送ＰＭＯＳ２－１、２－２，以及接在接地端子ＧＮＤ与公共节点Ｘ之间的预充电用ＮＭＯＳ４。ＰＭＯＭ２－１、２－２的控制极分别连接读写数据线ＲＷＤ１、ＲＷＤ２，利用ＰＭＯＳ２－１、２－２的通断将上述数据线所提供的数据传送到公共节点Ｘ。此结构可使公共节点Ｘ所带寄生电容中的结电容仅为ＰＭＯＳ２－１、２－２和ＮＭＯＳ４的漏极结电容，因而能减小寄生电容。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体集成电路器件，具有：在第1电源端子与公共节点之间插入电流通路且至少2个相互并接的第1、第2绝缘栅型FET；其特征在于，该器件还包括，在第2电源端子与上述公共节点之间插入电流通路且对上述公共节点的电位预充电用的预充电装置；上述第1、第2绝缘栅型FET各自的控制极分别连接互不相同的第1、第2数据信号线，并利用上述第1、第2绝缘栅型FET的导通和非导通，将第1、第2数据信号线中所提供的第1、第2数据传送到上述公共节点。
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