[发明专利]半导体存储器

摘要

一种半导体存储器，其存储器阵列带有一1MOS型存储器单元矩阵，其高速存储器阵列带有一3MOS型存储器单元矩阵，其中X系统选取高速存储器阵列的操作由地址储存电路和地址比较器执行，前者储存分配给写/读字线的X地址，后者比较存储于前者的数据和X系统地址信号。当高速存储器阵列中有数据时从其中输出读出信号，当字线具有的数据与其相同时把储存存储器阵列中的位线放大信号传送到高速存储器阵列以刷新高速存储器阵列。

主权项

1.一种半导体存储器，包括：一个第一存储器阵列，其中，1MOS动态存储器单元分别设置在多个第一数据线和多个第一字线的交点处；一个第二存储器阵列，其中设置有动态存储器单元，它们各包括一个用来储存读至各第一数据线的数据的电容器、一个连接在该电容器和第一数据线之间的第一MOSFET(Q2)、一个带有接收该电容器所保持的电压的栅极的第二MOSFET(Q4)、一个串联连接到第二MOSFET的第三MOSFET(Q3)、一个连接于第一MOSFET栅极的第二字线(WW)以及一个连接于第三MOSFET栅极的第三字线(RW)。