[发明专利]一种高电子迁移率晶体管器件的自对准制作的方法

摘要

一种高电子迁移率晶体管器件的自对准制作的方法，涉及到在合格基片的管芯台面上，制作其上面重叠覆盖有绝缘膜层的源电极和漏电极，两电极间距为尺寸与器件栅长相近的夹缝，在夹缝和其他图形侧壁上制作绝缘隔离侧墙后，在夹缝有效窗口上制作器件栅极肖特基结及其上面栅电极，从而实现栅极与源、漏电极自对准的方法。

主权项

1、一种高电子迁移率晶体管器件的自对准制作的方法，其特征是：在制作晶体管器件的源和漏合金电极时，在其上面重叠覆盖一层绝缘膜，并使二电极间距缩小成线宽与器件栅长尺寸相近的夹缝；在夹缝及其他图形侧壁上制作绝缘隔离侧墙，使夹缝内窗口与源、漏电极绝缘隔离；在夹缝内二绝缘侧墙之间的有效窗口上制作栅极肖特基结及其上面的栅电极，实现栅极与源、漏电极自对准；制作主要工艺步骤是：A，设计制作与本发明方法相适应的光刻掩模版；B，在选取合格基片上用光刻和腐蚀的方法制作菅芯台面；C，在菅芯台面上制作其上面重叠覆盖有一层绝缘膜，二者间距形成夹缝的线宽与器件栅长尺寸相近的源和漏合金电极；D，在源、漏电极及夹缝图形侧壁上制作绝缘隔离侧墙；E，在源、漏电极间夹缝内二绝缘侧墙间的有效窗口区内，制作栅极肖特基结及其上面的栅金属电极，从而实现器件栅极与源、漏电的自对准的制作方法。