[发明专利]形成半导体器件中的栅极电极的方法无效
| 申请号： | 95104684.5 | 申请日： | 1995-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN1076865C | 公开（公告）日： | 2001-12-26 |
| 发明（设计）人： | 金钟哲;禹相浩 | 申请（专利权）人： | 现代电子产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/285 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴增勇,萧掬昌 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种形成具有两层多晶硅层和一层钨硅化物层的栅极电极的方法，以防止氟气沿晶界扩散渗入栅极氧化物膜。该方法包括在硅衬底上顺序形成栅极氧化物膜和第一多晶硅层，通过热处理增大第一多晶硅层的晶粒，引入试剂气体SiH＃-[4]或Si＃-[2]H＃-[6]，进一步调整所述层中晶粒的尺寸，在第一多晶硅层上形成第二多晶硅层，通过热处理增大第二多晶硅层的晶粒，引入试剂气体Si＃-[2]H＃-[6]或SiH＃-[4]，在第二多晶硅层上形成钨硅化物层，通过掩模蚀刻工艺对以上各层进行蚀刻。$＃! | ||
| 搜索关键词： | 形成 半导体器件 中的 栅极 电极 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体器件中的栅极电极的方法，包括以下步骤：在硅衬底上形成栅极氧化物膜；用SiH4气体和PH3气体在所述栅极氧化物膜上淀积第一多晶硅层；对所述第一多晶硅层进行热处理，以增大其晶粒的尺寸；用Si2H6气体和PH3气体在所述经热处理的第一多晶硅层上淀积第二多晶硅层；对所述第二多晶硅层进行热处理，以增大其晶粒的尺寸；在所述经热处理的第二多晶硅层上形成钨硅化物层；以及通过掩模工艺和蚀刻工艺对所述钨硅化物层、所述第二多晶硅层和所述第一多晶硅层进行蚀刻，由此形成栅极电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于现代电子产业株式会社，未经现代电子产业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/95104684.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
