[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明的半导体器件是这样形成的形成Ｔ形栅极；在Ｔ形栅极两侧下方的潜挖部位形成与Ｔ形栅极性耦合的辅助栅极；利用掺杂氧化膜在硅衬底中辅助栅极之下形成轻掺杂区；并形成连至轻掺杂区的重掺杂区。$因此，本发明可形成高速集成电路器件所需的短沟道长度，并通过降低ＬＤＤ结构的轻掺杂区的沟道电阻，大大提高器件的工作速度。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在硅衬底上形成栅氧化膜和T形栅极；在包括所述的T形栅极在内的所述硅衬底的整体结构上依次形成薄的掺杂氧化膜和厚的多晶硅层，此后，通过按敷层蚀刻方法蚀刻所述多晶硅层和掺杂氧化膜，在所述T形栅极两侧下方的潜挖部位形成辅助栅极；通过高浓度杂质注入方法，在所述硅衬底上所述T形栅极两侧形成重掺杂区；和在包括所述T形栅极在内的所述硅衬底的整体结构上淀积中间绝缘膜之后，为表面平整化进行热处理，且在所述热处理过程中，通过含在所述掺杂氧化膜中的掺杂剂向所述硅衬底的扩散形成轻掺杂区。