[发明专利]半导体集成电路器件

摘要

本发明的目的是提供一种电压提升电路，其中的多个以二极管方式连接的MOSFET是串联连接的，并且通过电容器将输入信号输入到MOSFET的节点上。并且通过电容器将输入信号输入到MOSFETM0至Mn的阈值VthMo至VthMn和电容元件C1至Cn的容量(C1至Ccn，或者通过为作为输入到信号提升电路的输入信号的时钟信号φ和φ*的波形高度值的电压提升电路形成一种结构为具有电压提升电路的电子装置提供高效率和低成本的半导体集成电路器件。$#!

主权项

1.一种用于提升电压的半导体集成电路器件，包含多个形成在半导体衬底上的MOSFET，各个MOSFET具有源极、漏极、形成在源板和漏极间的沟道和通过栅极绝缘膜形成在沟道上面的栅极，所述多个MOSFET是以二极管连接的方式串联连接的，其特征在于：各个MOSFET具有从电源端子侧的电压Vcc减小到输出端子侧的电压Vpp的不同的阈值电压。