[发明专利]半导体器件中针形接点的形成方法

摘要

一种半导体器件中针形接点的形成方法，包括步骤（ａ）采用一光掩模提供穿过绝缘层而暴露出底层的第一开口；（ｂ）在第一开口中填入选择性金属层，使金属层之一生长过量；（ｃ）去除生长过量的选择性金属层的上部；（ｄ）形成金属布线；其中步骤（ｃ）还包括步骤形成光致抗蚀剂层；采用与步骤（ａ）相同的光掩模形成穿过光致抗蚀剂层的至少一第二开口，以暴露所述上部；和腐蚀该上部使其布局与非生长过量的选择性金属层的布局相同。

主权项

1、一种半导体器件中针形接点的形成方法，包括以下步骤：(a)采用一光掩模提供穿过绝缘层而暴露出底层的第一开口；(b)在第一开口中填入选择性金属层，以致这些选择性金属层之一在比其他开口具有较低布局的开口中生长过量，超过绝缘层表面；(c)去除生长过量的选择性金属层的上面部分；(d)形成连接到这些选择性金属层的金属布线；其特征在于，所述步骤(c)还包括以下步骤：(e)在所得结构上形成光致抗蚀剂层；(f)采用与步骤(a)中相同的光掩模形成穿过所述光致抗蚀剂层的一个第二开口，以暴露所述生长过量的选择性金属层的上面部分；(g)腐蚀生长过量的选择性金属层的上面部分，以致生长过量的选择性金属层的布局与非生长过量的选择性金属层的布局相同。