[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 95120238.3 | 申请日： | 1995-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN1053296C | 公开（公告）日： | 2000-06-07 |
| 发明（设计）人： | 木村广嗣;西村正;鹤田孝弘;有本和民;山形整人;藤岛一康 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/105;H01L21/335;H01L21/8239 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 杜日新 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在一种半导体器件及其制造方法中，在邻接第二杂质区（６）的端部设置一隔离绝缘膜（２），还带有延伸到半导体衬底（１）的凹槽。这就去掉了存在于隔离绝缘膜端部的晶体缺陷，因而防止了从存储结点（１０）在此部分的漏电流。因此，在邻接杂质区的隔离氧化膜的端部的凹槽构造去掉了在此区域的晶体缺陷，于是消除了漏电的可能性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于包括：一块具有一主表面的第一导电型半导体衬底；在所述的半导体衬底的主表面内限定有源区的隔离绝缘膜；在所述的主表面上在有源区形成的第一导电层，其间设有一绝缘膜；在所述的隔离绝缘膜和第一导电层之间的主表面所形成的一第二导电型杂质区；在所述的具有达到杂质区的开口的半导体衬底的主表面上所形成的绝缘层；以及通过开口电连接到所述的杂质区的第二导电层；其中所述的隔离绝缘膜在所述的杂质区侧的端部有凹槽部，由所述的隔离绝缘膜的凹槽部提供的端部表面达到所述的半导体衬底；所述的隔离绝缘膜的端部表面被所述的绝缘层覆盖；以及所述杂质区没有任何部分到达隔离绝缘膜，并由绝缘层和第一导电型衬底将其与隔离绝缘膜分离，对杂质区无任何介入。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱电机株式会社，未经三菱电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/95120238.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：分隔系统及其装配方法
- 下一篇：治疗Kaposi肉瘤所用组合物的制备方法
- 同类专利
- 专利分类
