[发明专利]制造快速电子可擦可编程只读存储器的源/漏结构的方法无效
| 申请号： | 95120269.3 | 申请日： | 1995-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN1131818A | 公开（公告）日： | 1996-09-25 |
| 发明（设计）人： | 理查德·威廉姆·格雷戈尔 | 申请（专利权）人： | 美国电报电话公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L27/115 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 郭晓梅 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种方法被提供用来避免邻近于基片表面的pn结短路(漏电)。该方法包括实行漏洗注入。该漏洗注入用来驱动(激励)有邻近场氧化物下面的pn结。该漏洗注入是在自校准硅化等步骤之前进行的。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 快速 电子 可编程 只读存储器 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种避免具有pn结的基底表面的pn结电短路的方法，其中pn结的一部分通过腐蚀位于靠近该pn结的场氧化物而被暴露，该方法包括进行一种漏洗注入步骤，以便使该pn结的暴露部分定位在该场氧化物下面以消除此暴露部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
