[发明专利]采用高电压检测的击穿保护电路

摘要

一种高电压电路，包括一转换装置(12)，用于向一包括串联的控制用p-沟道晶体管(16)和保护用p-沟道晶体管(18)的可控通道提供高电压(VPP)和低电压(VCC)的其中之一。利用高电压检测器(32)来测定是VPP还是VCC施加到该控制通道上。高电压检测器在使用VPP运行的过程中，对保护用p-沟道晶体管确定保护状态，在使用VCC运行的过程中确立非保护状态。当控制用晶体管关断和保护用晶体管处于保护状态时，沿可控通道产生的电压降将使保护用晶体管关断，从而限制加到控制用晶体管上的电压。

主权项

1.一种高电压转换器电路，包含：一信号输入端；一信号输出端，响应于所述信号输入，在0伏和一个正电压电平(VCC)之间以及在0伏和一助增的正电压电平(VPP)之间转换；电压电源提供装置，具有一第一转换节点，用于在所述第一转换节点在VCC和VPP之间进行电位转换；第一可控通道，连接在所述第一节点和所述信号输出端之间，所述第一可控通道包括串联的第一和第二p-沟道晶体管，所述第一p-沟道晶体管的源极连接到所述电压电源提供装置，所述第二p-沟道晶体管的漏极连接到所述信号输出端，所述第一和第二p-沟道晶体管都具有栅极；检测装置，连接到所述电压电源提供装置，用于当所述第一节点处于VCC时，向所述第二p-沟道晶体管的所述栅极提供地电位，以及当所述第一节点处于VPP时，向所述第二p-沟道晶体管的所述栅极提供电压VCC；第二可控通道，由所述信号输出端到地电位，所述第二可控通道包括串联的第一和第二n-沟道晶体管，所述第一n-沟道晶体管的漏极连接到所述信号输出端，所述第二n-沟道晶体管的源极连接到地电位，所述第一n-沟道晶体管的栅极的连接在于接收一固定的电压VCC；以及控制信号装置，它的输入端连接到所述信号输入端，它的输出端连接到所述第一p-沟道晶体管和第二n-沟道晶体管的栅极，用于当所述信号输入端处于逻辑高电平时，向所述栅极提供一个正电压，以及用于当所述信号输入端处于逻辑低电平时，提供地电位，所述正电压足以使所述第一p-沟道晶体管转为关断状态；其中，当所述第一节点处于VPP和所述控制信号装置向所述栅极提供所述正电压时，在所述第一p-沟道晶体管的漏极的电压基本上维持在所述第二p-沟道晶体管的栅极电压减去所述第二p-沟道晶体管的阈值电压的电压下。