[发明专利]快速电可擦可编程只读存储器单元及其制造方法

摘要

根据本发明的拼合型快速电可擦可编程只读存储器单元当对以厚的绝缘膜将隧穿区与沟道隔开的结构施加高电压进行编程和擦去时，可以防止因带－带隧穿和由结区与栅电极之间的重叠区所形成的强电场而产生的二次热载流子所导致的单元隧道氧化膜的退化。

主权项

1一种制造快速电可擦可编程只读存储器单元的方法，包括以下各步骤：使用光刻胶图形作为腐蚀掩模，通过腐蚀工艺，去掉连续形成于硅衬底上的部分第一氧化膜和氮化膜，露出部分所说的硅衬底；去掉所说的光刻胶图形，再通过使硅衬底表面被暴露部位氧化而形成第二氧化膜；使用其一部分已被去掉的氮化膜作为掩模，通过去掉所说的第二氧化膜的裸露部位，在去掉所说的第二氧化膜的硅衬底表面上形成凹槽，因而所说的第二氧化膜由一部分已被去掉的氮化膜所覆盖的部位仍维持原样；在所说的硅衬底的凹槽部位形成漏区；在凹槽的硅衬底上形成隧道氧化膜，然后在整个结构上形成第一多晶硅层；使用用于浮栅电极的掩模，通过腐蚀工艺连续去掉所说的第一多晶硅层、其一部分已被去掉的所说的氮化膜、所说的隧道氧化膜以及其一部分已被去掉的所说的第一氧化膜，以形成由所说的第一多晶硅层制成的浮栅电极；注入控制阈值电压的杂质离子，在所说的浮栅的一侧露出的所说的硅基片上形成选择栅沟道区；形成选择栅氧化膜和极间氧化膜，再在整个结构上形成第二多晶硅层；和使用控制栅电极掩模，通过腐蚀工艺，使所说的第二多晶硅层构图形成拼合结构控制栅，并在从所说的控制栅的一侧露出的所说的硅衬底上形成源区。