[发明专利]钝化有机发光二极管的方法无效
| 申请号： | 96105465.4 | 申请日： | 1996-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN1092396C | 公开（公告）日： | 2002-10-09 |
| 发明（设计）人： | Ｔ·Ｂ·哈维三世;Ｆ·苏 | 申请（专利权）人： | 摩托罗拉公司 |
| 主分类号： | H01L21/314 | 分类号： | H01L21/314;H01L21/316;H01L21/56;H01L51/40 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 陆立英 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种在支持基片上钝化有机器件的方法，该方法包括把一层低温沉积的绝缘薄膜覆盖在有机器件上，并且在该绝缘材料上密闭地封接一层无机材料层从而实质性地密封该有机器件。在一个典型的实施例中，该绝缘层是二氧化硅(SiO2)，该无机材料层是一个金属外壳。 | ||
| 搜索关键词： | 钝化 有机 发光二极管 方法 | ||
【主权项】：
1.钝化有机发光二极管的一种方法，其特征在于有以下步骤：提供了在支持基片上的有机发光二极管；在低于300℃的温度下把一层无机绝缘材料覆盖在该有机发光二极管上；在绝缘材料上密封地接合一层元机层从而实质性地密封该有机发光二极管。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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