[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 96106746.2 | 申请日： | 1996-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN1047872C | 公开（公告）日： | 1999-12-29 |
| 发明（设计）人： | 朴賛光 | 申请（专利权）人： | 现代电子产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余朦 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其制造方法，其中在第二硅基片的边缘部分上形成厚的侧壁氧化膜或多晶硅层。在氧化膜或多晶硅层的侧壁上，有效半导体基片在其边缘部分的厚度增加了，由此在该边缘部分获得提高的阈值电压。即，通过实施侧壁氧化膜的形成来防止半导体器件栅氧化膜直接形成在有效硅基片的每侧壁上。结果，可防止因由有效半导体基片在其边缘部分的厚度减小而导致阈值电压下降所引起的电性能的下降。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有绝缘层上硅结构的半导体器件，包括：第一硅基片；在第一硅基片上形成的第一硅氧化膜；具有形成在有源区的第一硅氧化膜上的梯形截面结构的第二硅基片；该半导体器件的特征在于：在第二硅基片的每个侧壁上形成的侧壁绝缘膜；在第二硅基片的所需部分上形成的栅氧化膜；在栅氧化膜上形成的栅电极；和分别确定在第二基片的不与栅电极重叠的部分中的源/漏掺杂扩散区。
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