[发明专利]快速电可擦可编程只读存储器单元及其制造方法无效

专利信息
申请号: 96107224.5 申请日: 1996-03-22
公开(公告)号: CN1050699C 公开(公告)日: 2000-03-22
发明(设计)人: 蒋尚焕;韩星英 申请(专利权)人: 现代电子产业株式会社
主分类号: H01L27/115 分类号: H01L27/115;H01L21/8247;H01L21/265;G11C16/02
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 萧掬昌,王岳
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及一种快速EEPROM(电可擦可编程只读存贮器)单元及其制造方法,特别地,通过根据两个浮栅是否被编程或删除而使有效沟道长度改变以及偏置连接,使得这种EEPROM单元具有三种不同的输出电平,其中两个浮栅形成于沟道区中。
搜索关键词: 快速 电可擦 可编程 只读存储器 单元 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种快速EEPROM单元,包括:第一浮栅,由第一隧道氧化膜与硅基片电绝缘;第二浮栅,由第二隧道氧化膜与所述硅基片电绝缘,该第二浮栅靠近且平行于所述第一浮栅,第二浮栅的一边与第一浮栅的一边重叠;一介质膜垫片,形成在所述第一浮栅和第二浮栅之间;一介质膜,形成在所述第一浮栅和第二浮栅上;一控制栅极,形成在所述第一浮栅和第二浮栅之上,其中该控制栅极与所述第一和第二浮栅之间由所述介质膜电绝缘;一个源区,形成在所述硅基片中,并且与所述第一浮栅另一边的一部分重叠;以及一个漏区,形成在所述硅基片中,并且与所述第二浮栅另一边的一部分重叠。
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