[发明专利]快速电可擦可编程只读存储器单元及其制造方法无效
申请号: | 96107224.5 | 申请日: | 1996-03-22 |
公开(公告)号: | CN1050699C | 公开(公告)日: | 2000-03-22 |
发明(设计)人: | 蒋尚焕;韩星英 | 申请(专利权)人: | 现代电子产业株式会社 |
主分类号: | H01L27/115 | 分类号: | H01L27/115;H01L21/8247;H01L21/265;G11C16/02 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 萧掬昌,王岳 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及一种快速EEPROM(电可擦可编程只读存贮器)单元及其制造方法,特别地,通过根据两个浮栅是否被编程或删除而使有效沟道长度改变以及偏置连接,使得这种EEPROM单元具有三种不同的输出电平,其中两个浮栅形成于沟道区中。 | ||
搜索关键词: | 快速 电可擦 可编程 只读存储器 单元 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种快速EEPROM单元,包括:第一浮栅,由第一隧道氧化膜与硅基片电绝缘;第二浮栅,由第二隧道氧化膜与所述硅基片电绝缘,该第二浮栅靠近且平行于所述第一浮栅,第二浮栅的一边与第一浮栅的一边重叠;一介质膜垫片,形成在所述第一浮栅和第二浮栅之间;一介质膜,形成在所述第一浮栅和第二浮栅上;一控制栅极,形成在所述第一浮栅和第二浮栅之上,其中该控制栅极与所述第一和第二浮栅之间由所述介质膜电绝缘;一个源区,形成在所述硅基片中,并且与所述第一浮栅另一边的一部分重叠;以及一个漏区,形成在所述硅基片中,并且与所述第二浮栅另一边的一部分重叠。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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