[发明专利]半导体基片的清洗方法、清洗系统和制造清洗液的方法无效
| 申请号： | 96107259.8 | 申请日： | 1996-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN1080454C | 公开（公告）日： | 2002-03-06 |
| 发明（设计）人： | 白水好美 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/302 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 萧掬昌,叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体基片的清洗方法。在将纯水加入清洁槽中之后，将氯气加入纯水中从而在纯水中产生氯离子、次氯酸离子、亚氯酸盐离子和氯酸盐离子。然后，将半导体基片浸入含氯离子、次氯酸离子、亚氯酸盐离子和氯酸盐离子的纯水中。本发明能够降低制造半导体器件的成本和减少对地球环境的污染。最好使溶解于纯水中的氯气量在０．００３％至０．３％的重量比范围内。$#! | ||
| 搜索关键词： | 半导体 清洗 方法 系统 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体基片的清洗方法，所说的方法包括步骤将纯水供给清洗槽；将氯气加入所说的纯水中，从而在所说的纯水中产生氯离子、次氯酸离子、亚氯酸盐离子和氯酸盐离子；和在含所说的氯离子、次氯酸离子、亚氯酸盐离子和氯酸离子的纯水中浸渍半导体基片，在所说的纯水中溶解的所说的氯气量在0.003wt％至0.3wt％的范围内。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日本电气株式会社，未经日本电气株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/96107259.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：生产金属铁的方法及设备
- 下一篇：电信系统的传信方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
