[发明专利]红、蓝、紫外光发射多孔硅的水热制备法无效
| 申请号： | 96107737.9 | 申请日： | 1996-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN1079450C | 公开（公告）日： | 2002-02-20 |
| 发明（设计）人： | 陈乾旺;周贵恩;朱警生;李晓光;张裕恒 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | C30B7/10 | 分类号： | C30B7/10;C30B33/10 |
| 代理公司： | 中国科学技术大学专利事务所 | 代理人： | 汪祥虬 |
| 地址： | 230026*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明多孔硅的水热制备方法，将单晶硅置于高压釜内由氟化物和酸以1∶1—10摩尔比配制而成的、含氟化物浓度为0．01—0．80摩尔／升的水溶液中，在氧化气氛中升温到100—250℃，保持1—2．5小时，通过调节氟化物浓度和介质氧化气氛的强弱可获得稳定红、蓝、紫外光发射的多孔硅，能制备面积大、发光稳定、重复性好、具有抛光单晶硅一样强度和光洁表面的多孔硅，不影响电子元件的集成，使实现硅基大规模光电集成电路成为可能。 | ||
| 搜索关键词： | 紫外光 发射 多孔 制备 | ||
【主权项】：
1、一种红、蓝、紫外光发射多孔硅的制备方法，其特征在于采用水热腐蚀技术，即：将单晶硅置于高压釜内衬里由氟化物和酸以1∶1-10摩尔比配制而成的、含氟化物浓度为0.01-0.80摩尔/升的水溶液中，通过加入包括HNO3在内的氧化剂来调节体系的氧化气氛，采用HNO3时的浓度低于11.0摩尔/升；升温到100-250℃，保温1-2.5小时。
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