[发明专利]在半导体器件中制作阻挡扩散金属层的方法无效
| 申请号： | 96108935.0 | 申请日： | 1996-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN1048819C | 公开（公告）日： | 2000-01-26 |
| 发明（设计）人： | 崔璟根 | 申请（专利权）人： | 现代电子产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人： | 杨梧 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种制作半导体器件的阻挡扩散金属层的方法，该方法可避免所述半导体器件的金属导线材料扩散进入所述金属导线下的硅层，其步骤包括为防止在所述硅层和阻挡扩散金属层间的界面形成硅化物，将所述硅层表面暴露于氧等离子体中；在所述硅层上形成第一阻挡扩散金属层；将氧离子注入所述第一阻挡扩散金属层；再在所述第一阻挡扩散金属层上形成第二阻挡扩散金属层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制作 阻挡 扩散 金属 方法 | ||
【主权项】：
1、一种在半导体器件中制作阻挡扩散金属层的方法，该方法可防止在所述半导体器件中的金属导线材料扩散进入所述金属导线下的硅层，其特征在于所述方法包括如下步骤：将所述硅层表面暴露于氧等离子体中，以防止在所述的硅层和阻挡扩散金属层之间的界面上形成硅化物；在所述硅层上形成第一阻挡扩散金属层；在所述的第一阻挡扩散金属层中注入氧离子；并且在所述第一阻挡扩散金属层上形成第二阻挡扩散金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
