[发明专利]高密度金属栅金属氧化物半导体的制造方法无效
| 申请号： | 96109328.5 | 申请日： | 1996-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN1072392C | 公开（公告）日： | 2001-10-03 |
| 发明（设计）人： | 梁伟成 | 申请（专利权）人： | 美禄科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 滕一斌 |
| 地址： | 台湾省新*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明是有关高密度金属栅金属氧化物半导体的制造方法，主要是指在不增加掩模次数的情况下，可对晶片（wafer）的部分位置上作选择性局部氧化处理，进而可分别控制晶片内金属栅极（gate）区、Ｐ＋区、及Ｎ＋区上氧化层厚度的金属栅金属氧化物半导体的制造方法；本发明可以给予工程师极大的设计选择空间。$＃! | ||
| 搜索关键词： | 高密度 金属 氧化物 半导体 制造 方法 | ||
【主权项】：
1．一种高密度金属栅金属氧化物半导体的制造方法，其特征在于所述的方法其依次步骤为：在第二型晶片的特定区域上，形成第一型阱区；生长一遮蔽层，在第二型晶片表面上生一薄氧化层垫，并在其上再附一氮化层；在第一型阱区的两侧边垂直延伸位置上，利用印刻技术开天窗、蚀刻技术去除遮蔽层，并将第一型离子注入第一型阱区内，形成第一型掺杂区；重新再生长一氧化层，并在第一阱区的另一紧临第一型掺杂区垂直延伸位置的近中央部分区域，利用印刻技术开天窗、蚀刻技术去除遮蔽层，将第二型离子注入第一型位阱区内，形成第二型掺杂区，分别为元件的源极或漏极部分；生长一氧化层，并去除剩余的氮化层；去除氧化层垫，并再重新生长一绝缘氧化层；形成接触窗；形成栅极及金属层导线；及保护层处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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