[发明专利]高输出功率的高频静态感应晶体管

摘要

一种击穿电压高的凹型静态晶体管，包括设置在n+型漏区的n型沟道区，在沟道槽中的P+型伸长栅区，在沟道区形成的和栅区平行的n+型伸长区，其中每一个设置在栅区之间，在沟道区中的围绕栅区的P+型保护环区。伸长栅区在两边与保护环区耦连，最外部的伸长栅区在纵向与保护环区分别耦连，以增加器件的击穿电压。栅和源接触点仅在保护环区彼此相对设置，以减少栅漏区之间和栅源区之间的寄生电容。

主权项

1，一种静态感应晶体管，它包括，具有第1导电类型的漏区；设置在所述漏区上面有所述第1导电类型的沟道区；许多沟槽，每一个沟槽形成在所述的沟道区中；许多源区，它具有所述的第1导电类型，每一源区设置在所述沟道区中，以便被设置在所述的许多槽之间；许多栅区，具有第2导电类型，每一栅区设置在所述槽的底部，其中，所述许多栅区和所述许多源区相互平行设置；保护环区，具有所述的第2导电类型，设置在所述沟道区，围绕所述许多栅区设置所述的保护环区，使所述许多栅区中的最外边栅区分别与所述保护环区的一边重叠，所述许多栅区中的每一个在两边和所述保护环区相连。