[发明专利]沟槽型双扩散型MOS装置及其制造方法在审
| 申请号： | 96110234.9 | 申请日： | 1996-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN1147154A | 公开（公告）日： | 1997-04-09 |
| 发明（设计）人： | 全昌基 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人： | 马莹 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽型DMOS装置及其制造方法，该装置包括由第一区10a和第二区10b构成的半导体基底10，扩散层11，高浓度接触区12，至少2个以上的沟槽13a、13b，以将上述接触区分离为至少3个以上的区域，栅极氧化膜14a、14b，多晶硅膜15a、15b，由于具有2个以上的沟槽并各自分别形成2个沟道，所以形成4个沟道，可以提高电流驱动能力。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 扩散 mos 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种沟槽型DMOS装置，其特征在于包括：由具有第1导电型的高浓度半导体物质的第一区(10a)和在该第一区上形成的具有同一导电型的低浓度半导体物质的第二区10b构成的半导体基底10；在上述第二区上形成的第2导电型的扩散层(11)；在上述扩散层(11)的表面形成的具有第1导电型的高浓度接触区(12)；以贯通上述接触区和第二区、延伸到上述第一区的上部，并且相互之间以规定距离形成将上述接触区至少分离为3个以上的区域的至少2个以上的沟槽(13a、13b)；在上述至少2个以上的沟槽的各自的侧壁和底部表面上分别形成的栅极氧化膜(14a、14b)；在上述栅极氧化膜上形成的多晶硅膜(15a、15b)。
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