[发明专利]半导体器件中CVD铝膜的制造方法无效
| 申请号： | 96113088.1 | 申请日： | 1996-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN1150325A | 公开（公告）日： | 1997-05-21 |
| 发明（设计）人： | 罗伯特·W·费尔达利斯;河崎尚夫;罗克·布鲁门塔尔 | 申请（专利权）人： | 摩托罗拉公司 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285;H01L21/768;C23C16/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 冯赓宣 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在半导体器件中制造CVD铝膜的方法，它包括在复合核化层上形成CVD金属膜。此复合核化层包括有在溅射铝膜下的溅射钛膜。复合核化层与CVD金属膜都在惰性气氛下加工。加上它们所在高真空条件能避免在多层金属加工中使金属表面暴露于大气中的氧。这样制得的CVD金属膜显现出底层的溅射复合核化层的高反射度与低表面粗糙度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 cvd 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.在半导体器件中制造CVD铝膜的方法，特征在于此方法包括下述工序：提供上面有介质膜的基片；将此基片置于惰性气氛中；于此惰性气氛中在前述介质膜上溅射钛膜；于此惰性气氛中在上述钛膜上溅射第一层铝膜；于此惰性气氛中在第一层铝膜上化学汽相淀积第二层铝膜；其中的第二层铝膜与第一层铝膜密切接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于摩托罗拉公司，未经摩托罗拉公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/96113088.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：多层波纹纸板的生产
- 下一篇：脱机相位控制低功耗电源
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
