[发明专利]装有供快速存取用的数据输出通路的半导体存储器无效
申请号: | 96113410.0 | 申请日: | 1996-09-11 |
公开(公告)号: | CN1096683C | 公开(公告)日: | 2002-12-18 |
发明(设计)人: | 辛尚佶;姜京雨 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C11/407 | 分类号: | G11C11/407 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 邹光新,王忠忠 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种装有高速存取数据用的数据输出通路的半导体存储器,包括多个存储单元,一个位线读出放大器,多个列选择门,一个输入/输出线路读出放大器,第二数据通路,多个传输门,一个锁存电路,第三数据通路,一个中继器,第四数据通路,和一个数据输出缓冲器;所述半导体存储器还配备有一个开关装置和一个锁存装置,开关装置与第四数据通路的输出端连接,锁存装置连接在开关装置的输出端与数据输出缓冲器之间。 | ||
搜索关键词: | 装有 快速 取用 数据 输出 通路 半导体 存储器 | ||
【主权项】:
1.一种装有在给定操作方式下高速存取数据用的数据输出通路的半导体存储器,各数据通路包括下列串联连接的各部分:第一电流控制装置,响应给定的地址信号;第一锁存装置;一个中继器;其特征在于,各数据通路包括下列串联连接的各部分:第二电流控制装置,响应给定的控制信号;第二锁存装置;和数据输出缓冲器。
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