[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 96113417.8 | 申请日： | 1996-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN1152799A | 公开（公告）日： | 1997-06-25 |
| 发明（设计）人： | 山崎靖 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L21/8242;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 萧掬昌,傅康 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体器件，其存储单元区有具一定高度的组件，其外围电路区没有具一定高度的组件。第一部分有一个层间绝缘膜，其最上面的绝缘膜为第一层间膜。第二部分的层间绝缘层由所述第一层间膜和直接敷在该第一层间膜的第二层间膜组成，第二层间膜的抛光率大于第一层间膜。存储单元区中的层间绝缘膜其表面比外围电路区中的层间绝缘膜表面高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：第一部分，装有具一定高度的组件；和第二部分，没有具一定高度的组件；其特征在于：所述第一部分有一个层间绝缘膜，其最上面的绝缘膜构成第一层间膜；所述第二部分的层间绝缘膜由所述第一层间膜和直接敷在所述第一层间膜的第二层间膜组成，第二层间膜的抛光率大于所述第一层间膜；所述第一部分中的所述层间绝缘膜的表面高于所述第二部分中的所述层间绝缘膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日本电气株式会社，未经日本电气株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/96113417.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：精梳机
- 下一篇：杂环化合物作为多巴胺D3配位体的用途
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
