[发明专利]高性能中温烧结片式多层瓷介电容器瓷料无效
| 申请号： | 96117343.2 | 申请日： | 1996-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN1053517C | 公开（公告）日： | 2000-06-14 |
| 发明（设计）人： | 梁力平;陈锦清;李富胜;欧明;祝忠勇;杨仕基;莫天桥;庞溥生;吴小飞;赖永雄;顾碎难 | 申请（专利权）人： | 广东肇庆风华电子工程开发有限公司 |
| 主分类号： | H01G4/12 | 分类号： | H01G4/12;C04B35/46 |
| 代理公司： | 广州市专利事务所 | 代理人： | 罗毅萍 |
| 地址： | 526020 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种中温烧结式多层瓷介电容器瓷料，其以ＢａＴｉＯ3为主晶相,用2Bi2O3·3TiO2来调整及降低瓷料的烧成温度,同时加入低溶物硅硼酸玻璃,且加入过渡元素氧化物。本发明流延制得的膜片光平、透光均匀、无针孔、气泡、龟裂现象，其介质常数（２０度）＝２６００，介质损耗≤１２０×１０-4；绝缘电阻率ρν〉１０12Ω·ｃｍ；电容量温度变化率（－５５～＋１２５度≤±１０％，适合生产线应用。 | ||
| 搜索关键词： | 性能 烧结 多层 电容器 | ||
【主权项】：
1.一种中温烧结片式多层瓷介电容器瓷料，其特征在于其配方组成(重量比)为：BaTiO386.0～93.0％(wt)Bi2O32.5～8.5％(wt)TiO21.6～3.5％(wt)Nb2O50.7～2.0％(wt)MnO20.8～2.0％(wt)硅酸铅玻璃1.0～3.0％(wt)其中硅酸铅玻璃的组成(重量比)为：Pb3O467～80％(wt)SiO21～4％(wt)H3BO315～22％(wt)ZnO3～7％(wt)
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东肇庆风华电子工程开发有限公司，未经广东肇庆风华电子工程开发有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/96117343.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
