[发明专利]二氧化硅光学镀膜材料的制备方法及二氧化硅材料无效
申请号: | 96117374.2 | 申请日: | 1996-12-23 |
公开(公告)号: | CN1186052A | 公开(公告)日: | 1998-07-01 |
发明(设计)人: | 崔承甲;刘占国 | 申请(专利权)人: | 中国科学院长春光学精密机械研究所 |
主分类号: | C03C25/02 | 分类号: | C03C25/02 |
代理公司: | 中国科学院长春专利事务所 | 代理人: | 刘树清 |
地址: | 130022 *** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | α-SiO2光学镀膜材料的制备方法,是一种制备光学镀膜材料的新的工艺方法,它省去了通常制备玻璃态SiO2光学镀膜材料需在1700℃以上高温熔融的复杂的工艺流程,代之而来的制备结晶态α-SiO2光学镀膜材料,只需在较低温度不超过600℃的条件下进行热处理即可获得镀膜效果极佳的光学镀膜材料。大幅度地降低了光学镀膜材料的制备成本、具有显著的经济效益。 | ||
搜索关键词: | 二氧化硅 光学 镀膜 材料 制备 方法 | ||
【主权项】:
1α-SiO2光学镀膜材料的制备方法及α-SiO2材料,是通过矿石精选、清洁处理、烘干、粉碎过筛、高温处理实现的,其特征在于:要求粉碎机和筛子的材质采用硬质材料制成,并对α-SiO2光学镀膜材料无污染,筛网的孔从小至大形成系列,以满足所需光学镀膜材料的粒度要求,根据粒度大小的要求,选用适合的筛孔过筛,对过筛的α-SiO2用高纯度水去粉未清洗后再进行热处理,即将α-SiO2装在对α-SiO2料无污染的坩埚里,并将装满α-SiO2料的坩埚放选大气加热炉中进行热处理,热处理的温控一时间曲线由图2所示,从室温匀速升温4小时以上,温度升至570℃-600℃,再恒温处理8小时以上,接着是均速降温24小时以上,最后是对经过热处理的α-SiO2进行质量筛选,把变色的含有杂复的α-SiO2全部去掉。
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