[发明专利]半导体器件及其制造方法无效

专利信息
申请号: 96117912.0 申请日: 1996-12-23
公开(公告)号: CN1099711C 公开(公告)日: 2003-01-22
发明(设计)人: 石井秀基 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H01L23/50 分类号: H01L23/50
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 王以平
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种可实现薄型化、可改善散热性,并可多层化的半导体器件及其制造方法。用铸模树脂5b把IC芯片1、金丝2、管芯垫3b的一部分盖起来。管芯垫3b从铸模树脂5b中露出来。把外部引线4b形成为从与管芯垫3b的外露面同一平面,沿着铸模树脂5b一直到与管芯垫3b相反一侧的铸模树脂5b的表面一侧。因此,可实现半导体器件的薄型化。因使管芯垫外露,故可以改善散热性,并借助于把外部引线4b形成于铸模树脂5b的上下,故使半导体器件的多层化成为可能。
搜索关键词: 半导体器件 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种半导体器件,具备:半导体集成电路芯片;连接板,其一个主面上设置有上述半导体集成电路芯片,上述连接板在与上述一个主面相反的一侧上具有另一个主面;把上述半导体集成电路芯片,上述连接板的上述一个主面盖起来的半导体器件的封装主体;以及与上述半导体集成电路芯片电连接的外部端子,上述外部端子形成为从与上述连接板的上述另一个主面的同一平面一直到与该另一个主面相反一侧的上述封装主体的表面一侧上,上述连接板的上述另一个主面从上述封装主体中露出。
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