[发明专利]仅当按正常顺序施加命令时才启动其内部电路的同步半导体存储器无效

专利信息
申请号: 96117924.4 申请日: 1996-12-19
公开(公告)号: CN1098525C 公开(公告)日: 2003-01-08
发明(设计)人: 泽田诚二 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: G11C11/34 分类号: G11C11/34
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 吴增勇,王忠忠
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 在用与时钟信号同步地施加的命令来指定内部操作内容的同步半导体存储器中,仅当激活命令是活动的时,才启动不同于用来激活内部操作的激活命令(ACT)的、对读、写和预充电命令进行译码的操作。即使在内部电路的不活动状态期间施加不同于所述激活命令的命令、例如读命令,其它命令译码器(42)也不能进行译码,因此能够避免不必要的电路操作。
搜索关键词: 正常 顺序 施加 命令 启动 内部 电路 同步 半导体 存储器
【主权项】:
1.一种与周期性地重复的外加时钟信号同步地工作的同步半导体存储器,其特征在于,包括:第一命令译码器(41;42a;42b;42c;43;121;125a;125b),用来确定与所述时钟信号同步地外加的多个外部控制信号的状态,并且用来当获得所述外部控制信号的状态的第一组合时产生激活预定的第一内部操作的激活信号,以及第二命令译码器(42,42aa;41a;122,123,124;122a,122b),它响应来自所述第一命令译码器的激活信号而被启动、以便确定与所述时钟信号同步地施加的所述多个外部控制信号的状态,并且,当获得所述外部控制信号的不同于所述第一状态组合的第二状态组合时、激活不同于所述第一内部操作的第二内部操作。
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