[发明专利]中温烧结低介高频片式多层瓷介电容器瓷料无效
| 申请号： | 96118943.6 | 申请日： | 1996-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN1053518C | 公开（公告）日： | 2000-06-14 |
| 发明（设计）人： | 梁力平;陈锦清;祝忠勇;欧明;杨仕基;莫天桥;庞溥生;李富胜;吴小飞;赖永雄;宋子峰 | 申请（专利权）人： | 广东肇庆风华电子工程开发有限公司 |
| 主分类号： | H01G4/12 | 分类号： | H01G4/12;C04B35/468 |
| 代理公司： | 广州市专利事务所 | 代理人： | 罗毅萍 |
| 地址： | 526020 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种中温烧结低介高频片式多层瓷介电容器瓷料，以ＢａＯ·４ＴｉO2主晶相、3～5%硼硅铅玻璃及０．１％ZrO2的改性剂（MnCO3、SnO2、ZrO2）的一种或几种。其介电常数可达３５左右，介质损耗≤４×１０-4；绝缘电阻率ργ＝１０14Ω·ｃｍ；电容量温度变化率≤０±３０ｐｐｍ／℃，适用于中温烧结（１１４０摄氏度）片式多层陶瓷电容器的生产。 | ||
| 搜索关键词： | 烧结 高频 多层 电容器 | ||
【主权项】：
1、一种中温烧结低介高频片式多层瓷介电容器瓷料，其特征在于其配方组成(重量比)为、四钛钡主晶相(BaO·4TiO2)95～97％硼硅铅玻璃2.9～5％其中硼硅铅玻璃组成为：B2O320～30％SiO25～10％PbO45～75％改性物：0.1～0.5％由碳酸锰(MnCO3)、二氧化锡(SnO2)、二氧化锆(ZrO2)的一种或几种组成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东肇庆风华电子工程开发有限公司，未经广东肇庆风华电子工程开发有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/96118943.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
