[发明专利]制造半导体器件的方法无效
| 申请号： | 96119224.0 | 申请日： | 1996-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN1060588C | 公开（公告）日： | 2001-01-10 |
| 发明（设计）人： | 安彦仁 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 萧掬昌,张志醒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 制造在源／漏区中有低电阻率硅化物层的ＣＭＯＳ结构的半导体器件。为了减小ｎ－型源／漏区（１１２）的电阻率要形成硅化物层，在形成高熔点金属硅化物层（１１７）前，在其上形成未掺杂硅层（１１３）。通过硅层离子注入，形成ｎ－型源／漏区。这样便可获得浅结ｐ型源／漏区（１１５），防止离子注入时间增加，且可以不减小离子注入能量地快速生产。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1．一种制造半导体器件的方法，该器件具有p—型MOS晶体管和n—型MOS晶体管，至少在每个MOS晶体管的源／漏区(112、115)上形成高熔点金属硅化物层(117)，所述方法包括下列步骤：在形成位于硅衬底(101)上面的每个MOS晶体管的栅绝缘膜(104)和栅电极(105)后，通过掺杂，形成所述n—型MOS晶体管的源／漏区(112)；通过在所述n—型和p—型MOS晶体管的区上的选择性外延生长工艺形成一个硅层，硅在所述区中被暴露；通过所述硅层，形成所述p—型MOS晶体管的源／漏区(115)；通过在整个表面淀积高熔点金属(116)，使所述高熔点金属和所述硅层发生反应，形成所述高熔点金属硅化物层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日本电气株式会社，未经日本电气株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/96119224.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种还原－酯化合成羧酸酯的方法
- 下一篇：一种防治钙质缺损的药物及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
