[发明专利]使非平面层平面化的方法无效
| 申请号： | 96120117.7 | 申请日： | 1996-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN1151609A | 公开（公告）日： | 1997-06-11 |
| 发明（设计）人： | 卢载遇 | 申请（专利权）人： | 大宇电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 甘玲 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种使非平面层平面化的方法，包括下列步骤(a)在非平面上面形成第一层；(b)在介电层的上面加播种层；(c)在播种层的上面形成光刻胶层；(d)使光刻胶层的一些部分形成图案且将其部分地去除，由此使播种层的上表面的一些部分暴露出；(f)去除剩余的光刻胶层直到位于其下的播种层被暴露出来；(g)以下述方式去除仍残留的光刻胶部分、突出在介于导电层之间的播种层和第一层的部分，也即，使第一层中的突起完全被作；以及(h)去除导电层及其下面的播种层。 | ||
| 搜索关键词： | 平面 平面化 方法 | ||
【主权项】：
1、一种使非平面层平面化的方法，该方法包括下列步骤：(a)在非平面上面形成一个第一层，该层具有由于非平面层而产生的突起；(b)在介电层的上面加一个播种层，该播种层具有由于第一层的突起而产生的隆起；(c)在播种层的上面形成一个光刻胶层；(d)使光刻胶层的一些部分形成图案且将其部分地去除，由此使播种层的上表面的部分暴露出；(f)去除剩余的光刻胶层直到位于其下的播种层被暴露出来；(g)以这样一种方式去除仍残留的光刻胶部分、突出在介于导电层之间的播种层和第一层的部分，也即，使第一层中的突起完全被去除；以及(h)去除导电层和每个导电层下面的播种层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
