[发明专利]抛光剂无效
| 申请号： | 96121008.7 | 申请日： | 1996-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN1072699C | 公开（公告）日： | 2001-10-10 |
| 发明（设计）人： | 宫下直人;安部正泰;下村玛丽子 | 申请（专利权）人： | 东芝株式会社 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 刘立平 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种对晶片作抛光处理时所用的抛光速率大的抛光剂以及在由CMP方法对半导体基片的被抛光膜作平坦化处理时用的抛光剂。$本发明的抛光剂为其中分散有选自氮化硅、碳化硅及石墨（碳）的一种材料的研磨粒子的抛光剂。该研磨粒子的一次粒径以0．01—1000nm为宜，其二次粒径以60—300nm为宜；且具有很高的硬度。本发明的抛光剂，其抛光速率大于分散有已知的研磨粒子的抛光剂，且对被抛光膜的平坦化效率高。适用于以CMP法对半导体基片的表面作抛光研磨处理。$＃! | ||
| 搜索关键词： | 抛光 | ||
【主权项】：
1．一种抛光剂，其特征在于，所述的抛光剂系将由氮化硅粒子组成的研磨粒子以胶体状态分散于包括硝酸的酸性溶剂中而成。
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