[发明专利]隔离半导体器件的元件的方法无效
| 申请号： | 96121653.0 | 申请日： | 1996-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN1156325A | 公开（公告）日： | 1997-08-06 |
| 发明（设计）人： | 金荣福;权成九;赵炳珍;金钟哲 | 申请（专利权）人： | 现代电子产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人： | 杨梧 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种隔离半导体器件的元件的方法，通过在衬垫氧化膜和硅衬底之间积累氮原子可以限制鸟嘴图形的产生，并且，利用湿腐蚀，在形成氮化物隔离层以后除掉在硅衬底上低温生长的氧化物，可控制硅衬底的腐蚀深度，由此，可重复生产具有优良外形的场氧化膜。 | ||
| 搜索关键词： | 隔离 半导体器件 元件 方法 | ||
【主权项】：
1、一种隔离半导体器件的元件的方法，包括下列步骤：在半导体衬底上形成应力缓冲层；在含氮气体气氛中进行退火，在半导体衬底和缓冲层之间的界面处形成积累氮的层；在所得结构的整个表面上淀积防氧化层；选择地腐蚀场区的防氧化层和缓冲层，以形成第一凹进区；形成隔离层，以便限制在第一凹进区侧壁处鸟嘴图形的形成；在第一次氧化过程中形成牺牲氧化膜；用湿腐蚀工艺除掉牺牲氧化膜，以便在半导体衬底中形成第二凹进区；在第二氧化工艺形成场氧化膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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