[发明专利]用于制造磁头的方法无效

专利信息
申请号: 96123302.8 申请日: 1996-11-08
公开(公告)号: CN1154533A 公开(公告)日: 1997-07-16
发明(设计)人: 绵贯基一 申请(专利权)人: 富士通株式会社
主分类号: G11B5/33 分类号: G11B5/33
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 冯赓宣
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 在一种加工磁头的方法中,从薄片上切下模块,切削磁阻头元件高度或薄膜磁头间隙深度至规定值,用于监视元件高度切削的电阻监视图形在所述薄片加工的同时形成在薄片模块上,所述监视图形包括其表面积随减少元件高度方向上的切削进展以几乎线性方式减少的第一电阻图形和其表面积随减少元件高度方向上的切削进展以几乎分段线性方式减少的第二电阻图形,根据电阻监视图形的电阻值在切削期间确定停止减少元件高度的切削的时刻。
搜索关键词: 用于 制造 磁头 方法
【主权项】:
1.一种用于加工磁头的方法,包括步骤:以二维布置在薄片上形成多个磁头,包括至少一个磁阻头;从薄片上切下一模块,其上直线排列着多个磁头;切削作为一个模块的所述磁阻头的磁阻头部分到规定高度;将已切削模块分离成单个磁头;其特征在于,用于监视元件高度切削的电阻监视图形包括第一电阻图形和第二电阻图形,第一电阻图形的表面积随减少磁阻头元件高度方向上的切削进展几乎线性减少,而第二电阻图形的表面积随减少磁阻头元件高度方向上的切削进展以几乎分段线性方式减少,电阻监视图形在所述薄片加工的同时形成在薄片模块上,且其特征在于,根据所述电阻监视图形的电阻值确定所述切削中减少元件高度的切削结束的时刻。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士通株式会社,未经富士通株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/96123302.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top