[发明专利]用于制造磁头的方法无效
申请号: | 96123302.8 | 申请日: | 1996-11-08 |
公开(公告)号: | CN1154533A | 公开(公告)日: | 1997-07-16 |
发明(设计)人: | 绵贯基一 | 申请(专利权)人: | 富士通株式会社 |
主分类号: | G11B5/33 | 分类号: | G11B5/33 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 冯赓宣 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 在一种加工磁头的方法中,从薄片上切下模块,切削磁阻头元件高度或薄膜磁头间隙深度至规定值,用于监视元件高度切削的电阻监视图形在所述薄片加工的同时形成在薄片模块上,所述监视图形包括其表面积随减少元件高度方向上的切削进展以几乎线性方式减少的第一电阻图形和其表面积随减少元件高度方向上的切削进展以几乎分段线性方式减少的第二电阻图形,根据电阻监视图形的电阻值在切削期间确定停止减少元件高度的切削的时刻。 | ||
搜索关键词: | 用于 制造 磁头 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于加工磁头的方法,包括步骤:以二维布置在薄片上形成多个磁头,包括至少一个磁阻头;从薄片上切下一模块,其上直线排列着多个磁头;切削作为一个模块的所述磁阻头的磁阻头部分到规定高度;将已切削模块分离成单个磁头;其特征在于,用于监视元件高度切削的电阻监视图形包括第一电阻图形和第二电阻图形,第一电阻图形的表面积随减少磁阻头元件高度方向上的切削进展几乎线性减少,而第二电阻图形的表面积随减少磁阻头元件高度方向上的切削进展以几乎分段线性方式减少,电阻监视图形在所述薄片加工的同时形成在薄片模块上,且其特征在于,根据所述电阻监视图形的电阻值确定所述切削中减少元件高度的切削结束的时刻。
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