[发明专利]非逸失性半导体存储器无效
| 申请号： | 96180332.0 | 申请日： | 1996-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN1222246A | 公开（公告）日： | 1999-07-07 |
| 发明（设计）人： | 山田直树;佐藤弘;辻川哲也;宫泽一幸 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 付建军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在设置多个阈值以在存储单元中存储多电平数据的非逸失性半导体存储器中,多位数据的每一位根据地址信号或控制信号分别写入存储单元,以执行读取和擦除。具体来说,存储矩阵如此构成能通过三维地址X,Y和Z来访问它,并通过Z地址来区分存储单元中的多位数据。 | ||
| 搜索关键词： | 非逸失性 半导体 存储器 | ||
【主权项】：
1一种驱动非逸失性半导体存储器的方法，其中的存储单元具有两个或更多阈值，通过两个或更多步骤改变字线电平从中读出数据以在存储单元中存储两位或更多位数据，其中依据地址信号或控制信号分别将多位数据中的每一位写入存储单元，以实现读取和擦除。
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