[实用新型]浮式传输门无效
| 申请号： | 96207489.6 | 申请日： | 1996-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN2289349Y | 公开（公告）日： | 1998-08-26 |
| 发明（设计）人： | 黄群 | 申请（专利权）人： | 黄群 |
| 主分类号： | H03H2/00 | 分类号： | H03H2/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100026 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种由在一共用基片内形成的多个PN结组成的器件,具体涉及由浮式金属氧化物半导体场效应晶体管即浮式MOSFET构成的模拟信号或数字信号的传输门,称浮式传输门,由于浮式MOSFET的传输信号Vin的幅值不受栅极电位的限制,故浮式传输门的传输信号Vin将不受电源电压的范围(VDD,VSS)限制,而能比CMOS传输门相应拓宽。 | ||
| 搜索关键词： | 传输 | ||
【主权项】：
1、由浮式金属氧化物半导体场效应晶体管即浮式MOSFET构成的浮式传输门，其特征是由二个相同或互补的浮式MOSFET组成。
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