[发明专利]半导体器件的体接触结构无效
| 申请号： | 97100726.8 | 申请日： | 1997-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN1068458C | 公开（公告）日： | 2001-07-11 |
| 发明（设计）人： | 权五敬 | 申请（专利权）人： | LG半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余朦 |
| 地址： | 韩国忠*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种改进的半导体器件的体接触结构，能利用较小表面积形成接触部分，甚至在接触未对准时，也能获得源区和体接触扩散层间的恒定接触表面积比，并能防止寄生器件的激活，从而能使器件稳定地工作。该半导体器件接触结构包括导电衬底；第一和第二并列的导电源区；形成于延展的源区上且被延展的源区分裂成多个部分的条形导电体接触扩散层；使每个体接触扩散层部分与邻近的体接触扩散层部分及形成于邻近体接触扩散层部分之间的延展源区连接而形成的立方形接触布线金属层。$＃! | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 接触 结构 | ||
【主权项】：
1．一种半导体器件的体接触结构，包括：导电衬底；第一和第二并列的导电源区；形成于延展的源区上且被延展的源区分裂成多个部分的条形导电体接触扩散层；使每个体接触扩散层部分与邻近的体接触扩散层部分及形成于邻近体接触扩散层部分之间的延展源区连接而形成的立方形接触布线金属层。
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