[发明专利]制备有缺陷集成电路平面图样品和测量其中疵点的方法无效
| 申请号： | 97102036.1 | 申请日： | 1997-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN1092842C | 公开（公告）日： | 2002-10-16 |
| 发明（设计）人： | 冲原将生 | 申请（专利权）人： | 冲电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01J37/26 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴增勇,萧掬昌 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 制备透射电子显微镜用的集成电路的平面图样品，其方法是给有缺陷的电路元件做记号；把样品的上表面研磨到镜面光泽度；研磨下表面，以便减薄整个样品的厚度；以及通过研磨或者造凹坑、必要时与离子铣相结合，进一步处理下表面，以便把缺陷附近的样品减薄。用这种方法制备的样品提供宽的视域并且能够以大的角度倾斜。通过在研磨样品时以预定的角度夹持样品，可以留下该样品中特定层的已知厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 缺陷 集成电路 平面图 样品 测量 其中 疵点 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制备透射电子显微镜观测用的有缺陷的集成电路的平面图样品的方法，其特征在于包括以下步骤：(a)给所述集成电路中的有缺陷的电路元件做记号，(b)从所述集成电路中切出小到能够被夹持在所述透射电子显微镜中的样品，所述样品具有上表面和与所述上表面相对的下表面，所述有缺陷的电路元件位于所述样品的上表面附近，(c)既研磨所述上表面、也研磨所述下表面，从而把所述样品的所有部分减薄到小于200微米的厚度，(d)在所述有缺陷的电路元件下面的区域，进一步把所述样品的下表面减薄到小于1微米的厚度，使得所述透射电子显微镜中的电子束能够穿透所述样品。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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