[发明专利]绝缘层上有硅的动态随机存取存储器及其制作方法

摘要

一种动态随机存取存储器绝缘层上有硅的结构和制作方法包括一氧化锂层上覆盖有硅表层且在硅基底之上；多个场氧化区域，形成并延伸过该基底的硅表层，且与该硅氧化埋层接触；多个栅极氧化层、多个栅电极和多个源／漏极区；一沟槽，开放并穿过转换场效应晶体管的源／漏极区间；沉积一多晶硅层以排列沟槽，并对该多晶硅层构图以形成至少部分存储电容器的下电极；多个下电容电极，覆盖着一薄介电层；一掺杂多晶硅的上电容电极。$＃!

主权项

1、一种绝缘层上有硅的动态随机存取存储器，该存储器包括：(a)一基底，具有硅表层，并覆盖着硅氧化埋层；(b)一场绝缘区域，形成于该基底的表面，延伸过该基底的硅表层，并与该硅氧化埋层接触，限定出该硅表层上的有源器件区；(c)一第一和第二源/漏极区，形成于该有源器件区之中，为该硅表层上的通道区：(d)一栅极氧化层，形成在该通道区上；(e)一栅极电极，在栅极氧化层上；(f)一沟槽，穿过该第一和第二源/漏极区，通过硅表层且进入硅氧化埋层中：(g)一下电容电极，延伸至该沟槽；(h)一介电层，在该下电容电极上；以及(i)一上电容电极。