[发明专利]半导体器件的静电保护电路及其结构无效
| 申请号： | 97103776.0 | 申请日： | 1997-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN1051171C | 公开（公告）日： | 2000-04-05 |
| 发明（设计）人： | 张明鉴 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H01L23/58 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 蹇炜 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体器件的静电保护电路及其结构，可提高静电保护能力。该半导体装置可与一焊垫连接，而该静电保护结构系列用一在晶体管漏极扩散区间之浅掺杂电阻或井区电阻，以使静电电压自该焊垫输入时，在该电阻处产生压降，进而形成一寄生双极型晶体管，以传导因该静电放电产生之电流，依据该结构，则可组成一静电保护电路。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 静电 保护 电路 及其 结构 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件的静电保护结构，系与一焊垫连接，其特征在于包括：一衬底，至少一个金属氧化物半导体晶体管，形成于该衬底，该半导体晶体管具有源/漏极扩散区、一在该源/漏极扩散区间的沟道区、及自该源/漏极扩散区向沟道区延伸的浅掺杂源/漏极，一焊垫扩散区，形成于上述半导体晶体管的漏极扩散区侧，用以与该焊垫及半导体器件连接，及一浅掺杂电阻，形成于该焊垫扩散区与漏极扩散区之间，用以使上述静电电压自该焊垫输入时，在该电阻处产生压降。
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