[发明专利]临界温度典型值为95K的钕钡铜氧高温超导外延薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 97107701.0 | 申请日： | 1997-10-07 |
| 公开（公告）号： | CN1059984C | 公开（公告）日： | 2000-12-27 |
| 发明（设计）人： | 李言荣;徐进 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L39/24 | 分类号： | H01L39/24;H01B12/06;C04B35/50 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利事务所 | 代理人： | 严礼华 |
| 地址： | 610054 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属Nd1Ba2Cu3O7-δ高温超导材料体系。本发明采用倒筒式直流溅射方法比已有技术的分子束外延法和激光沉积法能更容易控制薄膜组分，特别是在制备技术中采用了合适的基片温度和较低的氧分压，及后处理工序中采用氧等离子处理等措施，尽可能地减小了Ｎｂ／Ｂａ的固溶缺陷并提高了载流子浓度，使氧空位分布更加有序，从而使所制得的Nd1Ba2Cu3O7-δ薄膜经感应法和电阻法测试其Tco均大于94k,典型值高达９５k。 | ||
| 搜索关键词： | 临界温度 典型 95 钕钡铜氧 高温 超导 外延 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.钕钡铜氧高温超导薄膜的制备方法其特征是采用了倒筒式直流溅射方法，使制出的Nd1Ba2Cu3O7-δ薄膜的临界温度Tco的典型值达到95K，其具体的制作技术为：(1)选用Nd1Ba2Cu3O7-δ圆柱靶材；(2)基片为LaAO3(100)单晶片，靶基距为8cm；(3)溅射条件：气氛：氧氩混合气体O2∶Ar＝1∶2～3.3，总压60～65Pa电流：0.2～0.7A基片温度：750℃～770℃时间：10～18h(4)后处理工序：溅射完后关掉Ar气，样品在氧等离子体中降温至390℃后充入8×104Pa纯氧，保温8分钟后自然冷却至100℃以下。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学，未经电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/97107701.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种治心血管病药物的制备方法
- 下一篇：一种收腹露
