[发明专利]芳族聚酰胺和/或芳族聚酰亚胺薄膜和用其制作的磁记录介质无效
| 申请号： | 97110247.3 | 申请日： | 1997-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN1066750C | 公开（公告）日： | 2001-06-06 |
| 发明（设计）人： | 筑木稔博;末冈雅则;伊藤伸明 | 申请（专利权）人： | 东丽株式会社 |
| 主分类号： | C08J5/18 | 分类号： | C08J5/18;C08L77/00;C08L79/08;G11B5/62 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨丽琴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供移行性和耐擦痕性优良的、作为磁记录介质时的Ｓ／Ｎ之比良好的薄膜。$一种以芳族聚酰胺和／或芳族聚酰亚胺为主成分、并在该成分中含有粒子的薄膜，在该膜的至少一面，粒子浓度最初显示极大值的深度作为dmax，比dmax深从表面到１μｍ的范围内的粒子浓度显示最小值或极小值的深度作为dmin，比dmax深粒子浓度分布曲线的１次微分值显示负的变曲点的深度作为d”，在各深度的粒子浓度作为ρ（d）时，要满足下式$１０nm≤dmax≤300nm（１）$3≤ρ（ｄｍａｘ）／ρ（ｄｍｉｎ）≤１００（２）$或者$１０nm≤dmax≤300nm（３）$3≤ρ（ｄｍａｘ）／ρ（ｄ”）≤１００（４）$ρ（ｄｍａｘ）／ρ（ｄｍｉｎ）>１００（５）$作为其特征的芳族聚酰胺和／或芳族聚酰亚胺薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 聚酰胺 聚酰亚胺 薄膜 制作 记录 介质 | ||
【主权项】：
1、一种芳族聚酰胺和/或芳族聚酰亚胺薄膜，其特征在于，该薄膜是以芳族聚酰胺和/或芳族聚酰亚胺作为主要成分，并在该成分中含有粒子的薄膜，和该薄膜的至少一面上，粒子浓度最初显示极大值的深度作为dmax、在比dmax深从薄膜表面到1μm的范围内的粒子显示最小值或极小值的深度作为dmin，各深度的粒子浓度作为ρ(d)时要满足下式：10nm≤dmax≤300nm(1)3≤ρ(dmax)/ρ(dmin)≤100(2)
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