[发明专利]对半导体器件的改进无效
| 申请号： | 97113037.X | 申请日： | 1997-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN1200561A | 公开（公告）日： | 1998-12-02 |
| 发明（设计）人： | 帕特里克·A·博格雷;安索尼·莱沃里;约基·巴奥;锐克斯·E·露瑟 | 申请（专利权）人： | 哈里公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/70 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 美国佛*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种由键合晶片10组成的半导体器件,具有一个硅器件层20,键合于一个用迁移率下降的硅材料如多晶硅制备的半绝缘材料层14上。层14足够厚,且衬底16的导电性足够好,可以减小层20中的器件工作在高于0.1GHz的频率下时的阻性损耗。衬底16的导电性足够好且半绝缘层14的电阻性足够好,可以阻止层20中的器件的串扰。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 改进 | ||
【主权项】：
1.一种由具有一个半绝缘层的键合晶片组成的半导体器件，可减小高频时的损耗和串扰，它包括：一个处理衬底，处理晶片上的一个半绝缘层，一个绝缘层和绝缘层上的单晶硅制备的器件层，其中半绝缘层具有预定厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
