[发明专利]布线之间有空腔的半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 97114153.3 | 申请日： | 1997-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN1095199C | 公开（公告）日： | 2002-11-27 |
| 发明（设计）人： | 冈田纪雄 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 萧掬昌,王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在第1层间绝缘膜上形成布线层。在布线层上形成氧化膜。对氧化膜刻图形成相当于布线之间间隔的间隔。之后，用留在布线层上的氧化膜作掩模，腐蚀布线层和第1层间绝缘膜的表面层。此时，用布线层形成用间隔使其相互隔开的两条布线。之后，用偏压ECR膜淀积法，在布线上和间隔中留有空腔的布线之间的间隔中形成第2间绝缘膜。 | ||
| 搜索关键词： | 布线 之间 空腔 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、带有位于布线之间的空腔的半导体器件的制造方法，包括以下工艺步骤：在第1层间绝缘膜上形成布线层；在所述布线层上形成氧化膜；对所述氧化膜刻图，形成对应于布线之间间隔的间隔；用所述氧化膜作掩模，腐蚀所述布线层和所述第1层间绝缘膜的表面层，由此形成用所述间隔使其相互隔开的用布线层形成的两条布线；和在所述布线上和其中留有空腔的间隔中形成第2层间绝缘膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
