[发明专利]具有双栅极半导体器件的制造方法

摘要

制造具有双栅极半导体器件的方法，包括在第一部分和第二部分的半导体衬底上形成栅绝缘膜；在栅绝缘膜上形成多晶硅层；在第一部分多晶硅层上选择地注入第一导电型掺杂剂；在第二部分多晶硅层上选择地注入第二导电型掺杂剂；选择地蚀刻多晶硅层在第一部分上形成第一栅极；在第一栅极的两侧选择地注入用于形成源/漏LDD区的第一导电型掺杂剂；选择地蚀刻多晶硅层在第二部分上形成第二栅极；在第二栅极两侧选择地注入用于形成源/漏LDD区的第二导电型掺杂剂。

主权项

1.一种制造具有双栅极半导体器件的方法，包括下列步骤：在具有用于形成第一导电型沟道的MOS晶体管的第一部分和用于形成第二导电型沟道的MOS晶体管的第二部分的半导体衬底上形成栅绝缘膜；在栅绝缘膜上形成多晶硅层；在覆盖着半导体衬底的第一部分的多晶硅层上选择性地注入第一导电型掺杂剂；在覆盖着半导体衬底的第二部分的多晶硅层上选择性地注入第二导电型掺杂剂；通过选择性地蚀刻多晶硅层在半导体衬底的第一部分上形成第一栅极；在位于半导体衬底的第一部分的第一栅极的两侧选择性地注入用于形成源/漏LDD区的第一导电型的掺杂剂；利用用于形成第一栅极的选择性蚀刻工艺的掩膜，选择性地注入用于形成源/漏LDD区的第一导电型掺杂剂；通过选择性地蚀刻多晶硅层在半导体衬底的第二部分上形成第二栅极；在位于半导体衬底的第二部分的第二栅极的两侧选择性地注入用于形成源/漏LDD区的第二导电型的掺杂剂；以及利用用于形成第二栅极的选择性蚀刻步骤的掩膜，选择性地注入用于形成源/漏LDD区的第二导电型掺杂剂。