[发明专利]静态随机存取存储器单元及其制造方法无效
| 申请号： | 97114678.0 | 申请日： | 1997-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN1187042A | 公开（公告）日： | 1998-07-08 |
| 发明（设计）人： | 金东先 | 申请（专利权）人： | LG半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/11 | 分类号： | H01L27/11;H01L21/8244 |
| 代理公司： | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人： | 黄敏 |
| 地址： | 韩国忠*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种适用于其高存储密度和单元稳定性的静态随机存取存储器(SRAM)单元及其制造方法,该SRAM单元包括一个形成在第一导电型半导体衬底中的第二导电型阱,限定在第二导电型阱中的第一和第二激活区,与第一和第二激活区成直角形成的第一和第二存取晶体管,在第一和第二存取晶体管的漏极区中具有跨越第二导电阱的沟道型栅极的第一和第二激励晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 静态 随机存取存储器 单元 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种静态随机存取存储器(SRAM)单元，包括：一个形成在第一导电型半导体衬底中的第二导电型阱；限定在第二导电型阱中的第一和第二激活区；与第一和第二激活区成直角形成的第一和第二存取晶体管；和在第一和第二存取晶体管的漏极区中具有跨越第二导电阱的沟道型栅极的第一和第二激励晶体管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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